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太陽能光伏質(zhì)量檢測儀器 >> 電池片質(zhì)量檢測儀器 >> PL光致發(fā)光測試系統(tǒng):NIR-PLuS-B
                

 

產(chǎn)品介紹:   

    NIR-PLUS/B檢測系統(tǒng)是一款光伏檢測的綜合分析系統(tǒng),既采用紅外技術(shù)對裂紋,孔洞,微結(jié)晶,雜質(zhì)和其他硬質(zhì)點等進行檢測,又使用PL(光致發(fā)光)技術(shù)對雜質(zhì)及缺陷分布進行檢測,對造成少子壽命降低的原因進行系統(tǒng)的分析。是減低生產(chǎn)成本,提高產(chǎn)品品質(zhì),促使公司競爭力革命性增長的必不可少的檢測設備。

 


產(chǎn)品特點:

PL(光致發(fā)光)和紅外技術(shù)綜合分析,并具有3D模塊

采用銦鎵砷傳感器,而非一般廠家采用固定值的模擬攝像管

   具有硬件圖像校正和計算機參數(shù)控制的功能,其靈敏度好,檢測結(jié)果與實際情況一致性佳

軟件系統(tǒng)為不同產(chǎn)品表面情況及尺寸提供設置菜單,無需硬件上進行設置,方便應用

不僅可以探測標準尺寸的硅塊與硅片,而且可以檢測無規(guī)則尺寸的樣品

可直接對單晶,多晶,非晶,化合物等各類型光伏電池進行直接檢測

可應用到電池生產(chǎn)中的各工藝檢測,對硅塊、硅片、絨面、擴散、刻蝕、PECVD、電極印刷、燒結(jié)、電池片等各工藝進行檢測分析

紅外高像素相機,高分辨;得到更多波段的信息,更真實

線形光源,掃描方式收集圖像,避免常規(guī)照相的光學變形

可輕易獲得單位面積上的高強度并可輕易達7suns亮度,比常規(guī)1sun具有更高的敏感度,更經(jīng)濟更安全

無需對線光源遮光,避免了對比度下降,信號更真實

高像素紅外照相機3年免費保修或更換的承諾

所有的部件的設計都達到了長期高強度使用及最小維護量的要求

即使在高照明的條件下,我們的相機傳感器也幾乎沒有退化的情況

有多年在歐洲生產(chǎn)銷售應用的經(jīng)驗,產(chǎn)品具有優(yōu)良的工業(yè)應用性

 


技術(shù)指標:

設備尺寸: 1000mm[H]×1100mm[W]×800mm[D] +控制PC

設備重量: 166公斤

樣品尺寸: 210mm*210mm*450mm(硅塊)

              210*210(硅片,可根據(jù)客戶要求拓展)

檢測方式: 離線IR+PL檢測;一鍵式4面檢測

檢測時間: 20秒(IR);10-30秒(PL,根據(jù)樣品大小決定)

成像系統(tǒng): 銦鎵砷紅外相機 溫控,積分控制, 亮度/對比度/伽瑪,感光度范圍控制

分辨率:   1024 x 2304像素(12/14bit)

檢測波長: 900nm-1700nm

激光控制: 電腦控制電源,最大50A

校正方式: 標準樣片校準

激光系統(tǒng): 具用互鎖功能的一級高功率近紅外激光系統(tǒng)

              警示燈,報警軟件聯(lián)鎖功能

              閉路水冷溫控系統(tǒng),滿功率系統(tǒng)溫度穩(wěn)定

儀器控制: 接口 - 嵌入式硬件控制,USB控制靈活運用

              數(shù)據(jù)格式 - “BMP”原始圖像+鏈接

              測量信息的文件,資料,導出為“CSV”格式

符合標準: CE,RoHs

 

部分公開客戶名單:

Silicio Solar - Spain

Pillar JSC - Ukraine

Q-Cell- Germany

PV Crystalox - England

DC Wafers - Spain

Lux s.r.l. – Italy

……

部分實列檢測結(jié)果

 

PL檢測可以輕易的檢測到黑心黑邊片,PL的優(yōu)勢是全程檢測,檢測速度快,為生產(chǎn)節(jié)省時間和成本,提高產(chǎn)品品質(zhì)。

 

通過IR和PL的共同分析,可以精確劃分硅塊的頭尾線。

 

 

(1) PL結(jié)果與uPCD少子壽命結(jié)果對比,通過擬合兩者間匹配度達98.65%
(2) PL圖像能夠直觀和準確的反應出樣品表面的問題,而uPCD不能實現(xiàn)
(3) PL像素可分辨0.175mm2,而uPCD僅可分辨1 mm2

 


    通過PL系統(tǒng)分析,可精確定位到diffusion這一步有問題,diffusion厚度不均,滾輪damage等;后續(xù)的工藝乃至最后的電池片結(jié)果說明,厚度不均的問題在之后的環(huán)節(jié)對wafer進行了優(yōu)化,最后不會明顯減低cell效率,而滾輪的damage影響到之后所有的環(huán)節(jié),并最終影響到cell效率。

    如需更多內(nèi)容,請聯(lián)系合能陽光,或聯(lián)系進行樣品PL檢測!

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